Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
RQ3E075ATTB
MOSFET P-CHANNEL 30V 18A 8HSMT
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Paket/Kılıf
- 8-PowerVDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- RQ3E075AT
RQ3E075ATTB Hakkında
RQ3E075ATTB, ROHM Semiconductor tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistörüdür. 30V drain-source gerilim ve 18A sürekli dren akımı kapasitesi ile güç uygulamalarında kullanılmaya uygundur. 8-PowerVDFN (8-HSMT 3.2x3) yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, 23mOhm düşük RDS(on) değeri sayesinde enerji verimliliği sağlar. Gate charge değeri 10.4nC olup, hızlı anahtarlamaya olanak tanır. -55°C ile +150°C arasında çalışabilen bu MOSFET, anahtar devreler, güç yönetimi, motorvari yükler ve güç dönüştürücü uygulamalarında yaygın olarak kullanılır. 10V sürücü gerilimi ile kontrol edilebilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 18A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 10.4 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 930 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerVDFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 15W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 23mOhm @ 7.5A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-HSMT (3.2x3) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok