Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
RQ3C150BCTB
MOSFET P-CHANNEL 20V 30A 8HSMT
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Paket/Kılıf
- 8-PowerVDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- RQ3C150B
RQ3C150BCTB Hakkında
RQ3C150BCTB, ROHM Semiconductor tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistörüdür. 20V drain-source gerilimi ve 30A sürekli akım kapasitesine sahip bu bileşen, güç yönetimi ve anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 6.7mΩ maksimum on-resistance değeri ile düşük güç kaybı sağlar. 150°C maksimum işletme sıcaklığında çalışabilen ve 20W güç tüketebilen bu transistör, batarya yönetim sistemleri, motor kontrolü, DC-DC dönüştürücüler ve güç dağıtım devrelerinde uygulanır. 8-PowerVDFN yüksek entegrasyon yoğunluğu ve ısıl yönetimi sağlayan surface mount paketinde sunulur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 30A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 60 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 4800 pF @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerVDFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 20W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6.7mOhm @ 15A, 4.5V |
| Supplier Device Package | 8-HSMT (3.2x3) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±8V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.2V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok