Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
RQ1E100XNTR
MOSFET N-CH 30V 10A TSMT8
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Paket/Kılıf
- 8-SMD
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- RQ1E100XN
RQ1E100XNTR Hakkında
RQ1E100XNTR, ROHM Semiconductor tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 30V drain-source gerilimi ve 10A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile entegre devrelerde, güç yönetimi uygulamalarında ve anahtarlama devrelerinde kullanılır. 10V gate geriliminde 10.5mΩ düşük on-direnç (Rds On) değeri ile enerji tasarrufu sağlar. TSMT8 yüzey montaj paketi sayesinde kompakt PCB tasarımlarına uygun olup, maksimum 150°C çalışma sıcaklığında güvenilir performans sunar. Mobil cihazlar, IoT uygulamaları, güç kaynakları ve motor kontrol sistemlerinde yaygın olarak kullanılmaktadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 10A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 12.7 nC @ 5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1000 pF @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-SMD, Flat Lead |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 550mW (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 10.5mOhm @ 10A, 10V |
| Supplier Device Package | TSMT8 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok