Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
RQ1E075XNTCR
MOSFET N-CH 30V 7.5A TSMT8
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Paket/Kılıf
- 8-SMD
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- RQ1E075XNTCR
RQ1E075XNTCR Hakkında
RQ1E075XNTCR, ROHM Semiconductor tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 30V drain-source gerilimi (Vdss) ve 7.5A sürekli drain akımı ile orta güç uygulamalarında kullanılır. 17mΩ (10V, 7.5A) on-resistance değeri ile düşük güç kaybı sağlar. TSMT8 yüzey montajlı paketinde sunulan bu komponent, anahtarlama devreleri, DC-DC dönüştürücüler, motor kontrol ve güç yönetimi uygulamalarında yaygın olarak kullanılmaktadır. ±20V maksimum gate gerilimi ve 2.5V threshold voltajı ile geniş kontrol aralığına sahiptir. 150°C maksimum junction sıcaklığında çalışır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 7.5A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 6.8 nC @ 5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 440 pF @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-SMD, Flat Lead |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 1.1W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 17mOhm @ 7.5A, 10V |
| Supplier Device Package | TSMT8 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok