Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
RQ1E070RPTR
MOSFET P-CH 30V 7A TSMT8
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Paket/Kılıf
- 8-SMD
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- RQ1E070RPTR
RQ1E070RPTR Hakkında
RQ1E070RPTR, ROHM Semiconductor tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 30V drain-source gerilim (Vdss) ve 7A sürekli drain akımı (Id) kapasitesine sahip bu bileşen, 4V ve 10V sürücü gerilimlerinde optimize edilmiştir. 17mΩ (10V, 7A'da) maksimum Rds(on) değeri ile düşük geçiş kayıplarına sahip olup, endüstriyel kontrol devreleri, güç yönetimi, anahtar uygulamaları ve motor kontrol sistemlerinde kullanılır. 550mW maksimum güç dissipasyonu ile 150°C'ye kadar çalışabilir. Surface mount TSMT8 paketinde sunulan bu MOSFET, kompakt tasarımlar için uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 7A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4V, 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 26 nC @ 5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2700 pF @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-SMD, Flat Lead |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 550mW (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 17mOhm @ 7A, 10V |
| Supplier Device Package | TSMT8 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok