Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
RQ1E050RPTR
MOSFET P-CH 30V 5A TSMT8
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Paket/Kılıf
- 8-SMD
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- RQ1E050RPTR
RQ1E050RPTR Hakkında
RQ1E050RPTR, ROHM Semiconductor tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistörüdür. 30V drain-source voltaj desteği ile 5A sürekli akım kapasitesine sahip bu bileşen, 700mW güç harcanması kapasitesi ile orta güç uygulamalarında kullanılmaktadır. 31mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. TSMT8 SMD paket tipi ile yüksek yoğunluklu PCB tasarımlarına uygun olup, endüstriyel kontrol devreleri, DC/DC dönüştürücüler, motor sürücüleri ve anahtarlama uygulamalarında yaygın olarak tercih edilmektedir. 150°C maksimum junction sıcaklığında çalışabilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 5A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4V, 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 28 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1300 pF @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-SMD, Flat Lead |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 700mW (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 31mOhm @ 5A, 10V |
| Supplier Device Package | TSMT8 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok