Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
RQ1C075UNTR
MOSFET N-CH 20V 7.5A TSMT8
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Paket/Kılıf
- 8-SMD
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- RQ1C075UN
RQ1C075UNTR Hakkında
RQ1C075UNTR, ROHM Semiconductor tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 20V drain-source voltajında 7.5A sürekli akım kapasitesi ile güç denetim uygulamalarında kullanılır. 16mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. TSMT8 SMD paket tipinde sunulan bu bileşen, motor kontrol, güç kaynakları, LED sürücü devreler ve endüstriyel anahtarlama uygulamalarında yaygın olarak kullanılmaktadır. ±10V maksimum gate voltajı ve 1V threshold voltajı ile hızlı anahtarlama özelliği gösterir. 150°C maksimum çalışma sıcaklığında 700mW güç dissipasyonuna sahiptir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 7.5A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.5V, 4.5V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 18 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1400 pF @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-SMD, Flat Lead |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 700mW (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 16mOhm @ 7.5A, 4.5V |
| Supplier Device Package | TSMT8 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok