Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
RQ1C065UNTR
MOSFET N-CH 20V 6.5A TSMT8
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Paket/Kılıf
- 8-SMD
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- RQ1C065UN
RQ1C065UNTR Hakkında
RQ1C065UNTR, ROHM Semiconductor tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 20V drain-source gerilimi ve 6.5A sürekli drain akımı ile çalışan bu bileşen, 22mΩ on-resistance (Rds On) ile düşük güç kaybı sağlar. TSMT8 SMD paketinde sunulan transistör, 150°C üstün çalışma sıcaklığı ve 700mW maksimum güç tüketimi ile tasarlanmıştır. Gate charge değeri 11nC ve input capacitance 870pF olup, 4.5V ve 1.5V drive voltage seçenekleri mevcuttur. Anahtarlama uygulamaları, motor kontrolü, güç yönetimi ve doğru akım-doğru akım (DC-DC) dönüştürücü devreleri gibi alanlarda kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 6.5A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.5V, 4.5V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 11 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 870 pF @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-SMD, Flat Lead |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 700mW (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 22mOhm @ 6.5A, 4.5V |
| Supplier Device Package | TSMT8 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok