Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

RQ1A070ZPTR

MOSFET P-CH 12V 7A TSMT8

Paket/Kılıf
8-SMD
Seri / Aile Numarası
RQ1A070ZP

RQ1A070ZPTR Hakkında

RQ1A070ZPTR, ROHM Semiconductor tarafından üretilen P-channel MOSFET transistördür. 12V drain-source gerilimi ve 7A sürekli drenaj akımına sahiptir. TSMT8 SMD paketinde sunulan bu bileşen, 4.5V gate geriliminde 12mΩ maksimum RDS(on) değerine sahiptir. Geniş sıcaklık aralığında (-150°C ile +150°C arası) çalışabilir ve 700mW maksimum güç saçımını destekler. 58nC gate charge ve 7400pF input capacitance özellikleriyle hızlı anahtarlama işlemleri sağlar. Güç yönetimi, motor kontrol, batarya koruma devreleri ve genel anahtar uygulamalarında kullanılır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 7A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 12 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 1.5V, 4.5V
FET Type P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 58 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 7400 pF @ 6 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature 150°C (TJ)
Package / Case 8-SMD, Flat Lead
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 700mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 12mOhm @ 7A, 4.5V
Supplier Device Package TSMT8
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±10V
Vgs(th) (Max) @ Id 1V @ 1mA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok