Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
RQ1A070APTR
MOSFET P-CH 12V 7A TSMT8
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Paket/Kılıf
- 8-SMD
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- RQ1A070AP
RQ1A070APTR Hakkında
RQ1A070APTR, ROHM Semiconductor tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 12V drain-source voltaj (Vdss) ve 7A sürekli dren akımı (Id) kapasitesiyle tasarlanmıştır. 14mΩ (4.5V, 7A koşullarında) RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. TSMT8 Surface Mount paket türünde sunulan bileşen, güç yönetimi, anahtarlama uygulamaları ve portable cihazlarda kullanılan devre tasarımlarında yer alır. 150°C maksimum çalışma sıcaklığı ve 550mW güç dağılımı kapasitesiyle düşük-orta güç uygulamaları için uygundur. 80nC gate charge ve 7800pF giriş kapasitansı ile hızlı anahtarlama özelliği gösterir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 7A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 12 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.5V, 4.5V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 80 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 7800 pF @ 6 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-SMD, Flat Lead |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 550mW (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 14mOhm @ 7A, 4.5V |
| Supplier Device Package | TSMT8 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | -8V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok