Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
RQ1A060ZPTR
MOSFET P-CH 12V 6A TSMT8
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Paket/Kılıf
- 8-SMD
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- RQ1A060Z
RQ1A060ZPTR Hakkında
RQ1A060ZPTR, ROHM Semiconductor tarafından üretilen P-channel MOSFET transistördür. 12V drain-source gerilimi ile 6A sürekli akım kapasitesine sahiptir. TSMT8 SMD paketinde sunulan bu bileşen, anahtarlama uygulamaları, güç yönetimi devreleri ve motor kontrol sistemlerinde kullanılır. 23mΩ maksimum on-direnci (Rds On) ile düşük güç kaybı sağlar. ±10V gate gerilim toleransı ve 150°C maksimum işletme sıcaklığı ile geniş uygulama alanında çalışabilir. 700mW güç disipasyonu kapasitesi ile ağır yüklü anahtarlama görevlerine uygun tasarlanmıştır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 6A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 12 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.5V, 4.5V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 34 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2800 pF @ 6 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-SMD, Flat Lead |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 700mW (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 23mOhm @ 6A, 4.5V |
| Supplier Device Package | TSMT8 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok