Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
RP1L080SNTR
MOSFET N-CH 60V 8A MPT6
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Paket/Kılıf
- 6-SMD
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- RP1L080S
RP1L080SNTR Hakkında
RP1L080SNTR, ROHM Semiconductor tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 60V drain-source gerilimi ve 8A sürekli dren akımı ile tasarlanan bu bileşen, güç yönetimi ve anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 24mΩ maksimum on-direnç (Rds On) değeri ile düşük enerji kaybı sağlar. 6-SMD yüzey montajlı paket ile kompakt devre tasarımlarına uyumludur. ±20V gate gerilimi toleransı ve 40nC gate yükü ile hızlı anahtarlama yapabilen bu MOSFET, motor kontrolü, güç kaynakları, DC-DC dönüştürücüler ve anahtarlamalı regülatörlerde uygulanır. Maksimum 150°C çalışma sıcaklığında çalışabilen bileşen, endüstriyel ve tüketici elektronik uygulamalarında tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 8A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 40 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1700 pF @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | 6-SMD, Flat Leads |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 2W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 24mOhm @ 8A, 10V |
| Supplier Device Package | MPT6 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok