Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
RP1L055SNTR
MOSFET N-CH 60V 5.5A MPT6
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Paket/Kılıf
- 6-SMD
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- RP1L055SN
RP1L055SNTR Hakkında
RP1L055SNTR, ROHM Semiconductor tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 60V drain-source gerilimi ve 5.5A sürekli dren akımı ile tasarlanmıştır. 49mΩ maksimum RDS(on) değeri ve düşük gate charge (14nC @ 10V) sayesinde anahtarlama uygulamalarında verimli çalışır. 6-SMD yüzey montajı paket ile PCB'ye direkt entegre edilir. Motor kontrolü, DC-DC konvertörleri, güç yönetimi devreleri ve anahtarlama düzeneklerinde kullanılır. Maksimum 2W güç dağıtımı kapasitesi ve 150°C çalışma sıcaklığı ile endüstriyel ortamlar için uygundur. ±20V gate-source gerilimi ve 3V eşik gerilimi ile kontrol devrelerine kolayca entegre edilebilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 5.5A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 14 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 730 pF @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | 6-SMD, Flat Leads |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 2W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 49mOhm @ 5.5A, 10V |
| Supplier Device Package | MPT6 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok