Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
RP1E100XNTR
MOSFET N-CH 30V 10A MPT6
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Paket/Kılıf
- 6-SMD
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- RP1E100X
RP1E100XNTR Hakkında
RP1E100XNTR, ROHM Semiconductor tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 30V drain-source voltaj ve 10A sürekli akım kapasitesi ile düşük güç uygulamalarında anahtarlama elemanı olarak kullanılır. 13mΩ on-resistance (RDS(on)) ile verimli performans sunar. Surface mount MPT6 paketinde sunulan bu bileşen, 150°C maksimum işletme sıcaklığında güvenli çalışır. Gate charge 11nC ve düşük input kapasitesi 800pF, hızlı anahtarlama uygulamaları için uygundur. DC-DC konvertörler, motor sürücüleri ve yük anahtarlaması gibi endüstriyel ve tüketici elektronik uygulamalarında yer alır. Not: Bu ürün üretimi sonlandırılmıştır (Obsolete).
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 10A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 11 nC @ 5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 800 pF @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | 6-SMD, Flat Leads |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 2W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 13mOhm @ 10A, 10V |
| Supplier Device Package | MPT6 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok