Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
RP1E090XNTCR
MOSFET N-CH 30V 9A MPT6
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Paket/Kılıf
- 6-SMD
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- RP1E090XNT
RP1E090XNTCR Hakkında
RP1E090XNTCR, ROHM Semiconductor tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 30V drain-source gerilimi ve 9A sürekli dren akımı ile orta güç uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. 10V gate geriliminde 17mΩ on-direnci ile verimli anahtarlama sağlar. 2W güç tüketimine kadar dayanabilir ve -40°C ile 150°C arasında çalışır. Surface mount 6-SMD MPT6 paketinde sunulan bu bileşen, motor kontrol devreleri, güç yönetimi, DC-DC dönüştürücüler ve anahtarlamalı güç kaynakları gibi uygulamalarda tercih edilir. Düşük gate charge değeri (6.8nC @ 5V) hızlı anahtarlama ve düşük enerji kaybı sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 9A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 6.8 nC @ 5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 440 pF @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | 6-SMD, Flat Leads |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 2W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 17mOhm @ 9A, 10V |
| Supplier Device Package | MPT6 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok