Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
RP1E070XNTCR
MOSFET N-CH 30V 7A MPT6
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Paket/Kılıf
- 6-SMD
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- RP1E070XNTCR
RP1E070XNTCR Hakkında
RP1E070XNTCR, ROHM Semiconductor tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 30V drain-source voltaj (Vdss) ve 7A sürekli drain akımı (Id) kapasitesi ile güç uygulamalarında anahtarlama elemanı olarak kullanılır. 28mOhm maksimum on-resistance (Rds On) değeri ile düşük ısı kaybı sağlar. 5.8nC gate charge değeri hızlı komütasyon özelliği sunar. Surface mount (SMD) paket tipinde sağlanan komponent, endüstriyel kontrol sistemleri, motor sürücüleri, güç dönüştürücüleri ve anahtarlamalı güç kaynakları gibi uygulamalarda tercih edilir. -20V ile +20V arasında gate voltajında çalışabilir ve 150°C maksimum junction sıcaklığında operasyon gösterir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 7A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 5.8 nC @ 5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 390 pF @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | 6-SMD, Flat Leads |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 2W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 28mOhm @ 7A, 10V |
| Supplier Device Package | MPT6 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok