Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
RP1A090ZPTR
MOSFET P-CH 12V 9A MPT6
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Paket/Kılıf
- 6-SMD
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- RP1A090Z
RP1A090ZPTR Hakkında
RP1A090ZPTR, ROHM Semiconductor tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistörüdür. 12V drain-source gerilimi ve 9A sürekli drenaj akımına sahip bu bileşen, düşük on-resistance değeri (12mOhm @ 9A, 4.5V) ile verimli anahtarlama sağlar. Surface mount MPT6 paketinde sunulan bu MOSFET, 150°C maksimum işletme sıcaklığında güvenli şekilde çalışabilir. Gate charge değeri 59nC olup, 4.5V ve 1.5V sürü gerilimlerinde optimize edilmiştir. Motor kontrol devreleri, güç yönetimi uygulamaları, anahtarlama güç kaynakları ve batarya yönetim sistemlerinde kullanılabilir. Maksimum 2W güç tüketimi ile termal yönetimi basitleştirilmiştir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 9A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 12 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.5V, 4.5V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 59 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 7400 pF @ 6 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | 6-SMD, Flat Leads |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 2W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 12mOhm @ 9A, 4.5V |
| Supplier Device Package | MPT6 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok