Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

RMP3N90LD

MOSFET N-CHANNEL 900V 3A TO252-2

Üretici
Rectron USA
Paket/Kılıf
TO-252-3
Seri / Aile Numarası
RMP3N90LD

RMP3N90LD Hakkında

RMP3N90LD, Rectron USA tarafından üretilen 900V N-Channel MOSFET transistörüdür. TO-252-3 (DPak) yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, 3A sürekli dren akımı ve 3.2Ω maksimum Rds(on) değeri ile çalışır. 10V kapı-kaynak gerilimi ile aktive edilen transistör, güç kaynakları, anahtarlama devreler ve yüksek voltaj uygulamalarında kullanılır. ±30V maksimum gate gerilimi ve -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığına sahiptir. 50W maksimum güç dağılımı kapasitesiyle endüstriyel ve tüketici uygulamalarında yer alan anahtarlama ve PWM kontrolü devrelerinde tercih edilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 3A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 900 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 850 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 50W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.2Ohm @ 1.5A, 10V
Supplier Device Package TO-252-2
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±30V
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok