Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

RMP3N90IP

MOSFET N-CHANNEL 900V 3A TO251

Üretici
Rectron USA
Paket/Kılıf
IPAK
Seri / Aile Numarası
RMP3N90IP

RMP3N90IP Hakkında

RMP3N90IP, Rectron USA tarafından üretilen yüksek voltajlı N-Channel MOSFET transistördür. 900V drain-source gerilim ve 3A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile güç uygulamalarında kullanılır. TO-251-3 (IPak) paketinde sunulan bu bileşen, 10V gate sürüş geriliminde 3.2Ω maksimum drain-source direncine sahiptir. -55°C ile 150°C arasındaki çalışma sıcaklığında ve 50W maksimum güç dağıtımında stabil performans gösterir. Anahtarlama uygulamaları, güç dönüştürücüleri, invertörler ve yüksek voltajlı motor kontrolü devrelerinde tercih edilir. 5V eşik gerilimi ile kolay sürülebilir ve 850pF giriş kapasitansı ile hızlı anahtarlama özelliği sağlar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 3A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 900 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 850 pF @ 25 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-251-3 Stub Leads, IPak
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 50W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.2Ohm @ 1.5A, 10V
Supplier Device Package TO-251
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±30V
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok