Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
RMD1N25ES9
MOSFET N-CHANNEL 25V 1.1A SOT363
- Üretici
- Rectron USA
- Paket/Kılıf
- 6-TSSOP
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- RMD1N25ES9
RMD1N25ES9 Hakkında
RMD1N25ES9, Rectron USA tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 25V drain-source gerilimi ve 1.1A sürekli dren akımı kapasitesi ile düşük güç uygulamalarında kullanılır. 600mOhm maksimum RDS(On) değeri ile verimli anahtarlama sağlar. SOT-363 (6-TSSOP) yüzey montajlı paketinde sunulan bu bileşen, 4.5V veya 2.5V sürücü gerilimi ile çalışabilir. -55°C ile 150°C arasında sıcaklık aralığında çalışabilen RMD1N25ES9, endüstriyel kontrol, güç yönetimi ve genel amaçlı anahtarlama devrelerinde tercih edilir. 30pF giriş kapasitesi ve ±12V maksimum gate-source gerilimi ile kontrol uygulamalarında esnek tasarım imkanı sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 1.1A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 25 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4.5V |
| FET Type | N-Channel |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 30 pF @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 800mW (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 600mOhm @ 500mA, 4.5V |
| Supplier Device Package | SOT-363 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±12V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.1V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok