Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
RMA7N20ED1
MOSFET N-CH 20V 700MA DFN1006-3
- Üretici
- Rectron USA
- Paket/Kılıf
- SC-101
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- RMA7N20ED1
RMA7N20ED1 Hakkında
RMA7N20ED1, Rectron USA tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 20V drain-source gerilimi ve 700mA sürekli drain akımı ile düşük güç uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. 260mOhm maksimum on-resistance değeri ile verimli anahtarlama sağlar. DFN1006-3 (SOT-883) yüzey montajlı paketlemesi kompakt tasarımlar için uygundur. Gümrük kontrolü, IoT cihazları, taşınabilir elektronikler ve batarya yönetimi sistemlerinde yaygın olarak uygulanır. -50°C ile +150°C arasında çalışabilir ve 550mW güç yayınlayabilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 700mA (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4.5V |
| FET Type | N-Channel |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 40 pF @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -50°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | SC-101, SOT-883 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 550mW (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 260mOhm @ 500mA, 4.5V |
| Supplier Device Package | DFN1006-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±8V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.2V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok