Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
RM90N30LD
MOSFET N-CHANNEL 30V 90A TO252-2
- Üretici
- Rectron USA
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- RM90N30LD
RM90N30LD Hakkında
RM90N30LD, Rectron USA tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. TO-252-3 (DPak) paketinde sunulan bu bileşen, 30V drain-source gerilimi ve 90A sürekli drain akımı ile çalışır. 5.8mOhm maksimum RDS(on) değeri (20A, 10V'da) düşük ısı kaybı sağlar. -55°C ile 175°C sıcaklık aralığında çalışabilir ve 105W güç tüketimi kapasitesine sahiptir. Gate eşik gerilimi 2.5V'dur ve Vgs maksimum değeri ±20V'tur. Anahtarlama uygulamaları, motor kontrol devrelerinde, güç dönüştürme sistemlerinde ve DC-DC dönüştürücülerde kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 90A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 3433 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 105W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5.8mOhm @ 20A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-252-2 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok