Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

RM8N700IP

MOSFET N-CHANNEL 700V 8A TO251

Üretici
Rectron USA
Paket/Kılıf
IPAK
Seri / Aile Numarası
RM8N700IP

RM8N700IP Hakkında

RM8N700IP, Rectron USA tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 700V drain-source gerilimi ve 8A sürekli drain akımı kapasitesine sahiptir. TO-251-3 (IPak) paketinde sunulan bu bileşen, güç yönetimi uygulamalarında, anahtarlama devrelerinde ve güç kaynağı tasarımlarında kullanılır. 600mΩ maksimum RDS(on) değeri ile verimli anahtarlama performansı sağlar. -55°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir işletim sunar. Yüksek gerilim anahtarlama uygulamaları, motor kontrolü ve endüstriyel güç dönüştürme sistemlerinde tercih edilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 8A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 700 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 590 pF @ 50 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-251-3 Stub Leads, IPak
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 69W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 600mOhm @ 4A, 10V
Supplier Device Package TO-251
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±30V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok