Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
RM8N650T2
MOSFET N-CHANNEL 650V 8A TO220-3
- Üretici
- Rectron USA
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- RM8N650T
RM8N650T2 Hakkında
RM8N650T2, Rectron USA tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 650V drain-source gerilimi ve 8A sürekli drain akımı ile yüksek voltaj anahtarlama uygulamalarında kullanılır. TO-220-3 paketinde sunulan bu bileşen, güç kaynakları, motor kontrol devreleri, DC-DC dönüştürücüler ve ağır yüklü anahtarlama uygulamalarına uygundur. 10V kapı sürüş geriliminde 450mOhm maksimum RDS(on) değerine sahip olup, -55°C ile 150°C arasında çalışabilir. 80W maksimum güç disipasyonu kapasitesi ile endüstriyel elektronik tasarımlarında tercih edilen bir bileşendir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 8A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 680 pF @ 50 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 80W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 450mOhm @ 4A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok