Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
RM8N650HD
MOSFET N-CHANNEL 650V 8A TO263-2
- Üretici
- Rectron USA
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- RM8N650HD
RM8N650HD Hakkında
RM8N650HD, Rectron USA tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 650V drain-source gerilimi ve 8A sürekli drain akımı ile yüksek gerilim anahtarlama uygulamalarında kullanılır. TO-263-2 (D²Pak) paketinde sunulan bu bileşen, 10V gate geriliminde 450mΩ maksimum RDS(on) değerine sahiptir. -55°C ile +150°C çalışma sıcaklık aralığında ve 80W güç dağılımı kapasitesi ile güç dönüştürme, motor kontrol, dc-dc konvertörler ve endüstriyel anahtarlama devreleri gibi uygulamalarda tercih edilir. 3.5V eşik gerilimi ile CMOS/LVCMOS lojik devreleri tarafından doğrudan kontrol edilebilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 8A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 680 pF @ 50 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 80W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 450mOhm @ 4A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-263-2 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok