Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
RM830
MOSFET N-CHANNEL 500V 5A TO220-3
- Üretici
- Rectron USA
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- RM830
RM830 Hakkında
RM830, Rectron USA tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 500V drain-source gerilimi ve 5A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile güç anahtarlama uygulamalarında kullanılır. TO-220-3 paketinde sunulan bu transistör, 10V gate geriliminde 1.4Ω maksimum RDS(on) değerine sahiptir. -55°C ile +150°C arasında çalışabilen RM830, endüstriyel kontrol devreleri, anahtarlamalı güç kaynakları (SMPS), motor sürücüleri ve diğer güç yönetimi uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir. 87.5W maksimum güç disipasyon kapasitesi sayesinde orta güçlü anahtarlama görevleri için uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 5A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 500 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 900 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 87.5W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.4Ohm @ 2.5A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok