Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
RM80N80T2
MOSFET N-CHANNEL 80V 80A TO220-3
- Üretici
- Rectron USA
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- RM80N80T2
RM80N80T2 Hakkında
RM80N80T2, Rectron USA tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 80V drain-source gerilimi ve 80A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile yüksek güç uygulamalarında kullanıma uygundur. 10V gate sürüş geriliminde 8.5mΩ on-resistance değeri ile düşük geçiş kaybı sağlar. TO-220-3 paketinde sunulan bu komponent, güç kaynakları, motor sürücüleri, DC-DC konvertörleri ve ağır yük anahtarlama devrelerinde yaygın olarak uygulanır. -55°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığı aralığı ve 170W maksimum güç dağılımı kapasitesi ile endüstriyel ve ticari uygulamalara uyumludur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 80A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 80 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 4100 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 170W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8.5mOhm @ 40A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok