Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
RM80N60LD
MOSFET N-CHANNEL 60V 80A TO252-2
- Üretici
- Rectron USA
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- RM80N60LD
RM80N60LD Hakkında
RM80N60LD, Rectron USA tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 60V drain-source gerilimi ve 80A sürekli drain akımı kapasitesine sahiptir. TO-252-3 (DPak) yüzey montaj paketinde sunulan bu transistör, düşük 8.5mΩ on-resistance değeri ile güç uygulamalarında verimli anahtarlama sağlar. -55°C ile 175°C arasında çalışabilen bileşen, motor kontrol, güç kaynakları, DC-DC dönüştürücüler ve ağır akım yük anahtarlaması gibi uygulamalarda kullanılır. 110W maksimum güç dağıtım kapasitesi ve ±20V gate-source gerilimi ile geniş çalışma aralığı sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 80A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 4000 pF @ 30 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 110W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8.5mOhm @ 20A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-252-2 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok