Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
RM80N30LD
MOSFET N-CHANNEL 30V 80A TO252-2
- Üretici
- Rectron USA
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- RM80N30LD
RM80N30LD Hakkında
RM80N30LD, Rectron USA tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 30V drain-source gerilimi ve 80A sürekli drain akımı kapasitesi ile güç anahtarlama uygulamalarında kullanılır. TO-252-3 (DPak) yüzey montajlı paketinde sunulan bu bileşen, motor kontrolü, DC-DC dönüştürücüler, güç yönetimi ve anahtarlama devreleri gibi uygulamalarda yer alır. 6.5mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük kayıp özellikleri sunur. -55°C ile 175°C arasında çalışabilme yeteneği endüstriyel ve otomotiv uygulamalarına uygunluğunu sağlar. 83W maksimum güç dağılımı kapasitesi ile yüksek elektrik yüküne dayanabilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 80A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2330 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 83W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6.5mOhm @ 30A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-252-2 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok