Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
RM80N30DN
MOSFET N-CHANNEL 30V 80A 8PPAK
- Üretici
- Rectron USA
- Paket/Kılıf
- 8-PowerWDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- RM80N30DN
RM80N30DN Hakkında
RM80N30DN, Rectron USA tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 30V drain-source gerilimi (Vdss) ve 80A sürekli drain akımı (Id) ile yüksek akım uygulamalarında kullanılır. 8-PowerWDFN (3x3) yüzey monte paketinde sunulan bu transistör, 3.8mΩ maksimum on-direnci ve 3190pF giriş kapasitansı özellikleriyle düşük güç kaybı sağlar. -55°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında kullanılabilir. Motor kontrol, güç yönetimi devreleri, DC-DC dönüştürücüler ve anahtarlama uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 80A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 3190 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerWDFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 66W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.8mOhm @ 24A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-PPAK (3x3) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok