Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
RM80N100AT2
MOSFET N-CH 100V 80A TO220-3
- Üretici
- Rectron USA
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- RM80N100AT
RM80N100AT2 Hakkında
RM80N100AT2, Rectron USA tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. TO-220-3 paketinde sunulan bu bileşen, 100V drain-source gerilimi ve 80A sürekli drain akımı kapasitesine sahiptir. 8.5mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlayan transistör, güç anahtarlama uygulamalarında, DC-DC dönüştürücülerinde, motor kontrol devrelerinde ve endüstriyel güç yönetimi sistemlerinde yaygın olarak kullanılır. ±20V gate gerilimi aralığı ve -55°C ~ 175°C çalışma sıcaklığı aralığı ile geniş uygulama yelpazesini destekler. 125W maksimum güç yayılımı kapasitesi bulunmaktadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 80A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 5480 pF @ 50 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 125W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8.5mOhm @ 40A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250A |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok