Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
RM7N600LD
MOSFET N-CHANNEL 600V 7A TO252-2
- Üretici
- Rectron USA
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- RM7N600LD
RM7N600LD Hakkında
RM7N600LD, Rectron USA tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 600V drain-source voltajında 7A sürekli akım kapasitesiyle tasarlanmıştır. TO-252-3 (DPak) yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, yüksek voltajlı anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 10V gate geriliminde 580mOhm'luk Rds(on) değerine sahiptir. -55°C ile +150°C arasında çalışabilir ve maksimum 63W güç tüketebilir. Güç kaynakları, motorlu sürücüler, LED kumandaları ve AC/DC dönüştürücüler gibi uygulamalarda tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 7A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 587 pF @ 50 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 63W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 580mOhm @ 3A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-252-2 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok