Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
RM7N600IP
MOSFET N-CHANNEL 600V 7A TO251
- Üretici
- Rectron USA
- Paket/Kılıf
- IPAK
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- RM7N600IP
RM7N600IP Hakkında
RM7N600IP, Rectron USA tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 600V drain-source gerilimi ve 7A sürekli dren akımı kapasitesi ile yüksek gerilim uygulamalarında kullanılır. TO-251 (IPak) paketinde sunulan bu bileşen, güç dönüştürme devrelerinde, anahtarlama uygulamalarında ve AC/DC güç kaynakları tasarımında yaygın olarak tercih edilir. 10V gate sürüş geriliminde 580mΩ on-resistance değerine sahip olan transistör, -55°C ile 150°C arasında çalışabilir. 63W maksimum güç tüketimi ile endüstriyel ve tüketici elektroniği uygulamalarına uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 7A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 587 pF @ 50 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-251-3 Stub Leads, IPak |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 63W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 580mOhm @ 3A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-251 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok