Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
RM6N800TI
MOSFET N-CHANNEL 800V 6A TO220F
- Üretici
- Rectron USA
- Paket/Kılıf
- TO-220-3 Full Pack
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- RM6N800TI
RM6N800TI Hakkında
RM6N800TI, Rectron USA tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 800V drain-source gerilimi ve 6A sürekli dren akımı kapasitesi ile yüksek gerilim uygulamalarında kullanılır. TO-220-3 paketinde sunulan bu bileşen, anahtarlama ve güç kontrol devrelerinde, özellikle güç kaynakları, inverterler ve motor kontrol sistemlerinde yaygın olarak uygulanır. 10V sürü geriliminde 900mOhm maksimum RDS(on) değerine sahip olup, -55°C ile +150°C arasında çalışabilir. Input kapasitesi 1320pF (50V'de) ve maksimum güç tüketimi 32.4W'tır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 6A (Tj) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 800 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1320 pF @ 50 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 Full Pack |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 32.4W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 900mOhm @ 4A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220F |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok