Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
RM6N800LD
MOSFET N-CHANNEL 800V 6A TO252-2
- Üretici
- Rectron USA
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- RM6N800LD
RM6N800LD Hakkında
RM6N800LD, Rectron USA tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 800V drain-source gerilimi ve 6A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile yüksek gerilim uygulamalarında kullanılır. 10V gate-source geriliminde 900mOhm RDS(on) değeri ile anahtarlama ve güç yönetimi devrelerinde etkin bir şekilde çalışır. TO-252 (DPak) paketinde sunulan bu bileşen, -55°C ile 150°C arasında çalışabilir ve 98W güç dağılımı kapasitesine sahiptir. Elektrik güç kaynakları, motor kontrol, AC-DC konvertörleri ve yüksek gerilim anahtarlama uygulamalarında tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 6A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 800 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1290 pF @ 50 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 98W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 900mOhm @ 4A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-252-2 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok