Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
RM6N800HD
MOSFET N-CHANNEL 800V 6A TO263-2
- Üretici
- Rectron USA
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- RM6N800HD
RM6N800HD Hakkında
RM6N800HD, Rectron USA tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 800V yüksek voltaj kapasitesi ve 6A sürekli dren akımı ile güç uygulamalarında kullanılır. TO-263-2 (D²Pak) paketinde sunulan bu bileşen, anahtarlama devreleri, güç dönüştürücüler, invertörler ve yüksek voltaj yönetimi sistemlerinde tercih edilir. 10V gate sürü voltajında 900mOhm on-state direnç (Rds(on)) değeri ile verimli çalışma sağlar. Maksimum 98W güç dağıtabilir ve -55°C ile +150°C arasında çalışmaya uygundur. ±30V gate voltaj aralığında güvenli operasyon yapabilen bu MOSFET, endüstriyel elektronik ve enerji yönetim uygulamalarında güvenilir bir seçimdir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 6A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 800 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1320 pF @ 50 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 98W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 900mOhm @ 4A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-263-2 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok