Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
RM6N100S4V
MOSFET N-CH 100V 6A SOT223-3
- Üretici
- Rectron USA
- Paket/Kılıf
- TO-261-4
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- RM6N100S4V
RM6N100S4V Hakkında
RM6N100S4V, Rectron USA tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 100V drain-source gerilimi ve 6A sürekli drain akımı kapasitesine sahiptir. SOT-223-3 paketinde sunulan bu bileşen, 140mOhm maksimum on-state direnci ve 10V gate sürüş voltajı ile anahtarlama uygulamalarında kullanılır. -55°C ile 150°C işletme sıcaklık aralığında çalışabilen bu MOSFET, düşük güç tüketimi gerektiren devreler, motor kontrolü, power management ve dijital lojik arayüz uygulamalarında tercih edilir. 3W maksimum güç dağılımı ve 690pF giriş kapasitanslı tasarımı ile hızlı anahtarlama hızında verimli performans sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 6A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 690 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-261-4, TO-261AA |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 3W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 140mOhm @ 5A, 10V |
| Supplier Device Package | SOT-223-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok