Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
RM60N75LD
MOSFET N-CHANNEL 75V 60A TO252-2
- Üretici
- Rectron USA
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- RM60N75LD
RM60N75LD Hakkında
RM60N75LD, Rectron USA tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 75V drenaj-kaynak gerilimi ve 60A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile güç anahtarlama uygulamalarında kullanılır. TO-252-3 (DPak) yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, 8.5mΩ (10V, 30A'da) on direnç değeri ile verimli çalışma sağlar. -55°C ile 175°C arasında çalışabilen transistör, motor sürücüleri, güç kaynakları, DC-DC dönüştürücüleri ve endüstriyel kontrol devreleri gibi uygulamalarda tercih edilir. Maksimum 140W güç disipasyon kapasitesi bulunmaktadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 60A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 75 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 4400 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 140W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8.5mOhm @ 30A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-252-2 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok