Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
RM60N40LD
MOSFET N-CHANNEL 40V 60A TO252-2
- Üretici
- Rectron USA
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- RM60N40LD
RM60N40LD Hakkında
RM60N40LD, Rectron USA tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 40V drain-source voltajı ve 60A sürekli drain akımı kapasitesi ile güç elektronik uygulamalarında kullanılır. TO-252-3 (DPak) yüzey montajlı paket ile PCB entegrasyonu sağlar. 13mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sunar. -55°C ile +175°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir operasyon gerçekleştirir. Anahtarlama devreleri, motor sürücüleri, güç kaynakları ve DC-DC dönüştürücüler gibi uygulamalarda tercih edilir. 65W maksimum güç disipasyonu kapasitesi ile orta güçlü tasarımlar için uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 60A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1800 pF @ 20 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 65W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 13mOhm @ 20A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-252-2 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok