Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

RM5N800T2

MOSFET N-CHANNEL 800V 5A TO220-3

Üretici
Rectron USA
Paket/Kılıf
TO-220-3
Seri / Aile Numarası
RM5N800T

RM5N800T2 Hakkında

RM5N800T2, Rectron USA tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 800V Drain to Source voltajı ve 5A sürekli dren akımı ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılır. TO-220-3 paketinde sunulan bileşen, güç kaynakları, motor sürücüleri, anahtarlama devreleri ve enerji yönetimi sistemlerinde anahtarlama elemanı olarak görev yapar. 1.2Ω maximum on-resistance (Rds On) değeri ve 98W maksimum güç harcaması ile endüstriyel ve tüketici elektronik cihazlarında yaygın olarak tercih edilir. -55°C ile +150°C arasında çalışabilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 5A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 800 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1320 pF @ 50 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-220-3
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 98W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.2Ohm @ 2A, 10V
Supplier Device Package TO-220-3
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±30V
Vgs(th) (Max) @ Id 4.5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok