Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
RM5N800LD
MOSFET N-CHANNEL 800V 5A TO252-2
- Üretici
- Rectron USA
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- RM5N800LD
RM5N800LD Hakkında
RM5N800LD, Rectron USA tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 800V drain-source gerilimi ve 5A sürekli dren akımı kapasitesi ile yüksek voltaj uygulamalarında anahtarlama görevini yerine getirir. TO-252 (DPak) paketinde sunulan bu bileşen, 10V gate voltajında 1.2Ω maksimum RDS(on) değerine sahiptir. -55°C ile +150°C arasında çalışabilen RM5N800LD, endüstriyel güç dönüştürücüleri, anahtarlamalı güç kaynakları (SMPS), motor sürücüleri ve yüksek voltaj anahtar uygulamalarında kullanılır. 81W maksimum güç kayıpı, ±30V maksimum gate-source gerilimi ve 680pF giriş kapasitansi özellikleriyle tasarlanmıştır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 5A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 800 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 680 pF @ 50 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 81W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.2Ohm @ 2.5A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-252-2 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok