Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
RM5N800HD
MOSFET N-CHANNEL 800V 5A TO263-2
- Üretici
- Rectron USA
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- RM5N800HD
RM5N800HD Hakkında
RM5N800HD, Rectron USA tarafından üretilen yüksek voltaj N-Channel MOSFET transistördür. 800V drain-source voltaj derecelendirilmesi ile güç uygulamalarında anahtarlama ve amplifikasyon işlevleri için tasarlanmıştır. 5A sürekli dren akımı kapasitesiyle orta güçlü devreler için uygundur. TO-263-3 (D²Pak) yüzey montajlı pakete sahiptir. 1.2Ω maksimum RDS(on) değeri ile verimli iş akışı sağlar. -55°C ile +150°C arası sıcaklık aralığında çalışır. Yüksek voltaj anahtarlama, enerji dönüşüm sistemleri, motor kontrol devreleri ve AC/DC güç kaynakları gibi uygulamalarda kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 5A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 800 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1320 pF @ 50 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 98W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.2Ohm @ 2A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-263-2 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok