Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
RM5N700LD
MOSFET N-CHANNEL 700V 5A TO252-2
- Üretici
- Rectron USA
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- RM5N700LD
RM5N700LD Hakkında
RM5N700LD, Rectron USA tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 700V drain-source gerilimi ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılabilir. 5A kontinü drain akımı ve 49W maksimum güç tüketimi kapasitesine sahiptir. TO-252 (DPak) yüzey montaj paketi ile kompakt tasarımlara uygun olup, -55°C ile 150°C arasında çalışabilir. Anahtarlama devrelerinde, güç yönetimi sistemlerinde, LED sürücü uygulamalarında ve industrial kontrol devrelerinde yaygın olarak kullanılır. 10V gate-source geriliminde 950mOhm ile karakterize edilen RDS(on) değeri ile verimli anahtarlama sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 5A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 700 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 460 pF @ 50 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 49W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 950mOhm @ 2.5A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-252-2 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok