Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
RM5N650LD
MOSFET N-CHANNEL 650V 5A TO252-2
- Üretici
- Rectron USA
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- RM5N650LD
RM5N650LD Hakkında
RM5N650LD, Rectron USA tarafından üretilen N-channel güç MOSFET'idir. 650V drain-source gerilim ve 5A sürekli dren akımı kapasitesiyle yüksek gerilim uygulamalarında kullanılır. TO-252-3 DPak paketinde sunulan bu transistör, anahtarlama devrelerinde, güç dönüştürücülerinde, motor kontrol uygulamalarında ve offline SMPS tasarımlarında yaygın olarak tercih edilir. 10V gate sürüş geriliminde 900mOhm maksimum RDS(on) değeri ile verimli komütasyon sağlar. -55°C ile +150°C arasında çalışabilir ve 49W maksimum güç dağılımı kapasitesine sahiptir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 5A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 460 pF @ 50 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 49W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 900mOhm @ 2.5A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-252-2 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok