Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
RM5N650IP
MOSFET N-CHANNEL 650V 5A TO251
- Üretici
- Rectron USA
- Paket/Kılıf
- IPAK
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- RM5N650IP
RM5N650IP Hakkında
RM5N650IP, Rectron USA tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 650V drain-source gerilim ve 5A sürekli dren akımı ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılır. TO-251 paketinde sunulan bu bileşen, anahtarlama devreleri, güç yönetimi üniteleri, motorların hız kontrolü ve solar inverter gibi enerji dönüşüm sistemlerinde yaygın olarak uygulanır. 10V gate sürüş geriliminde 900mOhm maksimum RDS(on) değerine sahip olup, -55°C ile 150°C arasında çalışabilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 5A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 460 pF @ 50 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-251-3 Stub Leads, IPak |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 49W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 900mOhm @ 2.5A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-251 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok