Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

RM5A1P30S6

MOSFET P-CH 30V 5.1A SOT23-6

Üretici
Rectron USA
Paket/Kılıf
SOT-23-6
Seri / Aile Numarası
RM5A1P30S6

RM5A1P30S6 Hakkında

RM5A1P30S6, Rectron USA tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 30V drain-source gerilim ve 5.1A sürekli drenaj akımı kapasitesine sahiptir. SOT-23-6 yüzey montaj paketinde sunulan bu komponent, düşük on-resistance değeri (32mΩ @ 10V Vgs) ile güç uygulamalarında ve anahtarlama devrelerinde kullanılır. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen bileşen, mobil cihazlar, güç yönetimi modülleri, motor kontrol devreleri ve genel amaçlı anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. 1.56W maksimum güç tüketim kapasitesi ile kompakt tasarımlar için uygundur.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 5.1A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type P-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1280 pF @ 15 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case SOT-23-6
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 1.56W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 32mOhm @ 4A, 10V
Supplier Device Package SOT-23-6
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.2V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok