Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
RM50P30DF
MOSFET P-CHANNEL 30V 50A 8DFN
- Üretici
- Rectron USA
- Paket/Kılıf
- 8-PowerVDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- RM50P30DF
RM50P30DF Hakkında
RM50P30DF, Rectron USA tarafından üretilen P-channel MOSFET transistördür. 30V drain-source voltaj ile 50A sürekli drain akımı kapasitesi bulunan bu bileşen, 8-PowerVDFN yüzey montajlı paket türünde sunulmaktadır. 10V gate voltajında 7mOhm on-dirençi (Rds On) ile düşük geçiş kaybı sağlar. -55°C ile +150°C arası sıcaklık aralığında çalışabilen ürün, güç elektronikleri devreleri, anahtarlama uygulamaları, motor kontrol sistemleri ve güç yönetimi uygulamalarında kullanılmaktadır. Maximum 35W güç disipasyonu kapasitesi bulunmaktadır. 3590pF input kapasitesi ve 2.2V eşik voltajı özellikleri hızlı anahtarlama işlemleri için uygun performans sunmaktadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 50A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 3590 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerVDFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 35W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 7mOhm @ 10A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-DFN (5x6) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.2V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok