Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
RM50P30D3
MOSFET P-CHANNEL 30V 50A 8DFN
- Üretici
- Rectron USA
- Paket/Kılıf
- 8-PowerVDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- RM50P30D3
RM50P30D3 Hakkında
RM50P30D3, Rectron USA tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 30V drain-source gerilimi (Vdss) ve 50A sürekli drain akımı (Id) kapasitesi ile güç anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 8-PowerVDFN (3x3mm) surface mount paketinde sunulan bu bileşen, 8.7mOhm maksimum RDS(on) değeri ile düşük güç kaybı sağlar. Geniş çalışma sıcaklık aralığı (-55°C ile 150°C) ve 38W maksimum güç dağılımı kapasitesi, anahtarlama devreleri, motor denetim, güç yönetimi ve inverter uygulamalarında kullanım için uygun kılmaktadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 50A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 3448 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerVDFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 38W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8.7mOhm @ 30A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-DFN-EP (3x3) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok