Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

RM50N30DN

MOSFET N-CHANNEL 30V 50A 8DFN

Üretici
Rectron USA
Paket/Kılıf
8-PowerWDFN
Seri / Aile Numarası
RM50N30DN

RM50N30DN Hakkında

RM50N30DN, Rectron USA tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 30V drain-source gerilimi ve 50A sürekli drain akımı kapasitesi ile yüksek akım uygulamalarında kullanılır. 6.5mOhm maksimum Rds(on) değeri ile düşük güç kaybı sağlar. 8-DFN (3x3mm) yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, -55°C ile +150°C arasında çalışabilir. Anahtarlama, güç yönetimi, motor kontrol ve AC/DC dönüştürücü devreleri gibi uygulamalarda tercih edilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 50A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1840 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case 8-PowerWDFN
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 3.57W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 6.5mOhm @ 12A, 10V
Supplier Device Package 8-DFN (3x3)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok