Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

RM50N200T2

MOSFET N-CH 200V 51A TO220-3

Üretici
Rectron USA
Paket/Kılıf
TO-220-3
Seri / Aile Numarası
RM50N200T2

RM50N200T2 Hakkında

RM50N200T2, Rectron USA tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 200V drain-source gerilimi ve 51A sürekli drain akımı ile yüksek güç uygulamalarında kullanılır. TO-220-3 paketinde sunulan bu bileşen, 10V gate-source geriliminde 32mOhm'luk düşük on-direnci karakteristiği sayesinde enerji kaybını minimize eder. -55°C ile 175°C arasında çalışabilen bu MOSFET, güç yönetimi, motor kontrolü, DC-DC konvertörleri ve anahtarlama uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 51A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 200 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1598 pF @ 100 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-220-3
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 214W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 32mOhm @ 10A, 10V
Supplier Device Package TO-220-3
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok